Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 273 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB120N10S405ATMA1
- RS品番:
- 242-5825
- メーカー型番:
- IPB120N10S405ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 242-5825
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- IPB120N10S405ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 273A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | iPB | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.7mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 273A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ iPB | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.7mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
インフィニオンのMOSFETはD2PAKパッケージで、サーバー、電気通信、EV充電ステーションなどの大電力SMPSの共振トポロジに最適で、効率を大幅に向上させることができます。
Nチャンネル - 標準レベル - 強化モード
AEC Q101認定
MSL1 (最大260 °Cピークリフロー)
175 °C動作温度
100 %アバランシェテスト済み
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