Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 212 A, 0.7 mΩ, 80 nC, 8ピン, パッケージ:SuperSO8 5 x 6

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RS品番:
243-9311
メーカー型番:
BSZ063N04LS6ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

212A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SuperSO8 5 x 6

シリーズ

BSZ

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.7mΩ

チャンネルモード

N

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

81W

順方向電圧 Vf

1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon BSZシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧40V、最大連続ドレイン電流212A - BSZ063N04LS6ATMA1


このMOSFETは、コンパクトな表面実装アセンブリの高電流スイッチング用に設計されたNチャンネルパワートランジスタです。広い周囲温度範囲で動作し、RoHS指令に準拠しながら、小型パッケージで低い導通損失と大きな連続電流処理を必要とする用途に適しています。

特長:


• 0.7mΩの低オン抵抗により、導通損失を低減
• 212Aの連続ドレイン電流により、高電流処理が可能
• 81Wの消費電力により、高出力スイッチングをサポート
• 40V ドレイン・ソース定格により、中電圧用途に対応
• 80nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング制御を実現
• 20Vゲートソース制限により、標準ゲートドライブ電圧をサポート

用途


• コンパクト電源の高電流DC-DCコンバータに最適
• サーバー電源レールの同期整流に最適
• 堅牢な表面実装スイッチを必要とするモータードライバーと併用
• 高負荷環境でのバッテリ管理システムに使用可能
• 低伝導損失が重要な電力段階に最適

プリント基板の組み立てには、どのような取り付け方式を採用していますか?


表面実装用の8ピンSuperSO8 5x6 SMDパッケージで提供されます。

動作中にどのような熱範囲に耐えられますか?


仕様変更なしで、-55°C~175°Cの温度範囲で動作します。

ゲートドライブはスイッチング性能にどのように影響しますか?


標準ゲート充電は80nCで、目的のスイッチング速度に必要な駆動電流を決定します。

自動車仕様要件に適していますか?


自動車規格の指定はありません。車両認定のニーズに対して評価する必要があります。

設計者はゲート電圧に関してどのような制限を遵守する必要がありますか?


デバイスのストレスを回避するため、ゲートソース電圧は20 Vを超えてはなりません。

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