Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 64 A, 9.2 mΩ, 10 nC, 8ピン, パッケージ:SuperSO

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 リール(1リール5000個入り) 小計:*

¥573,000

(税抜)

¥630,300

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年11月04日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
5000 - 5000¥114.60¥573,000
10000 - 45000¥114.288¥571,440
50000 - 70000¥112.835¥564,175
75000 - 95000¥111.37¥556,850
100000 +¥109.905¥549,525

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
214-4322
メーカー型番:
BSC065N06LS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

64A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

SuperSO

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9.2mΩ

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

46W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

150°C

幅

6.1mm

規格 / 承認

No

長さ

5.35mm

高さ

1.2mm

自動車規格

なし

インフィニオンOptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 60V、最大連続ドレイン電流 64A - BSC065N06LS5ATMA1


このMOSFETは、小型電子アセンブリのスイッチングおよび電源管理用途向けに設計された大電流Nチャンネル半導体デバイスです。過酷な環境に対応する幅広い温度範囲で動作し、高密度基板レイアウトに適した8ピンSuperSO表面実装パッケージで提供されます。このデバイスは、高速スイッチングと低導通損失が求められる中電圧の電力変換用途に対応します。

特長:


• 超低オン抵抗 9.2mΩ により、導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 64A により、高負荷に対応
• ドレイン-ソース間定格電圧 60V により、中電圧システムに対応
• ゲート電荷 10nC により、高速なスイッチング遷移が可能
• 最大許容電力 46W により、持続的な電力伝送が可能
• ゲート-ソース間耐電圧 20V により、一般的なゲート駆動電圧に対応

用途


• 電源の同期降圧コンバータに適合
• 産業用コントローラのモーター駆動回路に最適
• 大電流スイッチング用のバッテリ管理回路に使用
• 通信機器のDC-DCコンバータに使用可能
• サーバーおよびコンピューティング機器の電源レギュレーション基板に適合

動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~150°C の周囲温度で機能するよう規定されており、コールドスタート環境と高温環境の両方で使用できます。

パッケージはプリント基板の組立とレイアウトにどのように対応していますか?


8ピンフットプリントのSuperSO表面実装形状により、自動実装が容易になり、はんだ付けされた基板の冷却に適した余裕のある熱経路を確保できます。

ゲート駆動時、設計者はどのようなスイッチング特性を想定できますか?


標準ゲート電荷は 10nC で、ほとんどのドライバICでゲート駆動電流の要件を抑えながら、高速なスイッチング遷移を実現します。

このデバイスは、小型基板上の大電流用途にどのように適していますか?


64A の連続電流容量と低オン抵抗を兼ね備えているため、設計者は限られた基板スペース内で I²R 損失を抑えつつ大電流を供給できます。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。