Infineon MOSFET, Nチャンネル, 20 V, 60 A, 1.4 mΩ, 80 nC, 8ピン, パッケージ：SuperSO8 5 x 6
- RS品番:
- 243-9314
- メーカー型番:
- IAUC60N04S6N044ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示5個小計, 5パック：*
￥1,258
(税抜)
￥1,384
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年4月14日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 145 | ￥251.60 | ￥1,258 |
| 150 - 1495 | ￥220.40 | ￥1,102 |
| 1500 - 1995 | ￥189.00 | ￥945 |
| 2000 - 3995 | ￥157.40 | ￥787 |
| 4000 + | ￥126.40 | ￥632 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 243-9314
- メーカー型番:
- IAUC60N04S6N044ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | SuperSO8 5 x 6 | |
| シリーズ | IAUC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.4mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 SuperSO8 5 x 6 | ||
シリーズ IAUC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.4mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon IAUCシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧20V、最大連続ドレイン電流60A - IAUC60N04S6N044ATMA1
このMOSFETは、自動車および産業環境での高電流スイッチング向けに設計されたNチャンネルエンハンスメントモードトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、堅牢なドレイン・ソース処理とゲート制御が必要な表面実装統合向けに設計されています。
特長：
• 1.4 mΩの低オン抵抗により、導通損失を低減
• 60 Aの高連続ドレイン電流により、高負荷に対応
• ドレインソース電圧20 Vにより、低電圧システムの使用が可能
• 81Wの消費電力により、持続的な熱性能を実現
• ゲート充電80 nCにより、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• ゲート・ソースの定格電圧 20 V により、広いドライブ・マージンを実現
• 60 Aの高連続ドレイン電流により、高負荷に対応
• ドレインソース電圧20 Vにより、低電圧システムの使用が可能
• 81Wの消費電力により、持続的な熱性能を実現
• ゲート充電80 nCにより、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• ゲート・ソースの定格電圧 20 V により、広いドライブ・マージンを実現
用途
• 自動車システムのDCモータドライバに使用
• バッテリ管理および配電に最適
• 制御モジュールの高電流負荷スイッチングに最適
• 車載エレクトロニクスの電力変換に使用可能
• 過酷な環境での熱管理システムと併用
• バッテリ管理および配電に最適
• 制御モジュールの高電流負荷スイッチングに最適
• 車載エレクトロニクスの電力変換に使用可能
• 過酷な環境での熱管理システムと併用
動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか？
定格動作温度は-55°C～175°Cで、幅広い周囲環境および熱条件に対応します。
ボードアセンブリには、どのようなパッケージと取り付けスタイルがありますか?
SuperSO8 5x6パッケージで提供され、表面実装向けです。
規制ステータスは、生産用の選択にどのように影響しますか?
RoHS指令に準拠し、制限物質の使用が一般的な製造要件に適合していることを示しています。
車載エレクトロニクス用のこのデバイスには、どのような自動車認定が適用されますか?
AEC‐Q101自動車規格に適合しており、自動車部品仕様に適しています。
関連ページ
- Infineon MOSFET 20 V 1.4 mΩ 8ピン, パッケージ：SuperSO8 5 x 6
- Infineon MOSFET 40 V 0.8 mΩ パッケージ：SuperSO
- Infineon MOSFET 40 V 0.9 mΩ パッケージ：SuperSO
- Infineon MOSFET 20 V 1.4 mΩ 8ピン, パッケージ：SuperSO8 5 x 6
- Infineon MOSFET 40 V 1.4 mΩ 8ピン, パッケージ：SuperSO8 5 x 6
- Infineon MOSFET 40 V 3.20 mΩ 8ピン, パッケージ：SuperSO8 5 x 6
- Infineon MOSFET 40 V 1.4 mΩ 8ピン, パッケージ：SuperSO8 5 x 6
- Infineon パワーMOSFET ハーフブリッジ 60 A 8ピン, パッケージ：SuperSO8 5 x 6