Infineon パワーMOSFET ハーフブリッジ, タイプNチャンネル, 60 A 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, IAUC60N04S6N031HATMA1 パッケージSuperSO8 5 x 6

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梱包形態
RS品番:
249-6892
メーカー型番:
IAUC60N04S6N031HATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SuperSO8 5 x 6

シリーズ

OptiMOS-TM6

ピン数

8

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

75W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

23nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

175°C

トランジスタ構成

ハーフブリッジ

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS パワートランジスタは、車載用途向けのNチャンネルパワー MOSFET である。動作チャンネルはNです。AEC Q101の認証を取得している。MSL1 が260℃ピークリフローまで対応する。グリーン製品（RoHS指令準拠）であり、100％アバランシェテスト済みである。

175 °C動作温度

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