型番

Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 100 V, 180 A, 0.7 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

RS品番:: 244-0879
メーカー型番:: IPD650P06NMATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 100 V, 180 A, 0.7 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

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2500 - 2500	￥123.84	￥309,600
5000 - 22500	￥121.481	￥303,703
25000 - 35000	￥117.864	￥294,660
37500 - 47500	￥114.262	￥285,655
50000 +	￥110.647	￥276,618

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RS品番:: 244-0879
メーカー型番:: IPD650P06NMATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	180A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	パッケージ型式	TO-252
	シリーズ	IPD
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.7mΩ
	チャンネルモード	N
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	81W
	順方向電圧 Vf	1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	80nC
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 180A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	パッケージ型式 TO-252
	シリーズ IPD
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.7mΩ
	チャンネルモード N
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 81W
	順方向電圧 Vf 1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - IPD650P06NMATMA1

Infineon MOSFET OptiMOSTMパワートランジスタは鉛未使用ーリードめっき、RoHS対応、IEC61249-2-21に準拠したハロゲン未使用です。

Pチャンネル

超低オン抵抗RDS(on)

100％アバランシュテストを実施

ノーマルレベル

拡張モード

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