Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 100 V, 180 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥263,160.00

(税抜)

￥289,475.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月25日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500￥105.264￥263,160
5000 - 22500￥103.258￥258,145
25000 - 35000￥100.184￥250,460
37500 - 47500￥97.123￥242,808
50000 +￥94.05￥235,125

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
244-0879
メーカー型番:
IPD650P06NMATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.7mΩ

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon MOSFET OptiMOSTMパワートランジスタは鉛未使用ーリードめっき、RoHS対応、IEC61249-2-21に準拠したハロゲン未使用です。

Pチャンネル

超低オン抵抗RDS(on)

100％アバランシュテストを実施

ノーマルレベル

拡張モード

関連ページ