Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, -16.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージPG-TO252-3, IPD900P06NMATMA1

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RS品番:
273-3011
メーカー型番:
IPD900P06NMATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

-16.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

PG-TO252-3

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

90mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

-27nC

最大許容損失Pd

63W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS, IEC61249-2-21

自動車規格

なし

DPAKパッケージのInfineon PチャンネルMOSFETは、バッテリ管理、負荷スイッチ、逆極性保護用途向けの新しいテクノロジーです。Pチャンネルデバイスの主な利点は、メディアでの設計の複雑さを軽減することです。

MCUの簡単なインターフェイス、

高速スイッチング、

アバランシュの堅牢性

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