Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 100 V, 180 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD650P06NMATMA1

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梱包形態
RS品番:
244-0880
メーカー型番:
IPD650P06NMATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

IPD

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.7mΩ

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon MOSFET OptiMOSTMパワートランジスタは鉛未使用ーリードめっき、RoHS対応、IEC61249-2-21に準拠したハロゲン未使用です。

Pチャンネル

超低オン抵抗RDS(on)

100％アバランシュテストを実施

ノーマルレベル

拡張モード

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