Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 75 V, 180 A, 3 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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RS品番:
244-8546
Distrelec 品番:
304-40-507
メーカー型番:
IPD380P06NMATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

シリーズ

IPD

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

P

最大許容損失Pd

81W

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon IPDシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧75V、最大連続ドレイン電流180A - IPD380P06NMATMA1


このMOSFETは、表面実装用途での高電流スイッチング向けに設計されたPチャンネルパワートランジスタです。広い温度範囲で動作し、高い熱性能と電気性能が求められる自動車および産業用途に適しています。

特長:


• 最大ドレイン・ソース電圧 75V により、高電圧スイッチングを実現
• 3mΩの低Rds(on)により、高電流流動作時の導通損失を低減
• 180Aの連続ドレイン電流により、持続的な高電流負荷をサポート
• 81Wの消費電力により、大きな熱ストレスに対応
• 80nCの標準ゲート充電により、制御されたスイッチングエネルギー管理が可能
• 最大20Vのゲート・ソース定格により、堅牢なゲート駆動レベルに対応

用途


• 高電流DC配電段に最適
• 車両要件に適合する自動車用電源モジュールに最適
• モータードライブのローサイドまたはハイサイドスイッチングに使用
• 過酷な環境での基板レベルの電源管理に使用可能
• 電源アセンブリの熱管理システムと併用

過酷な環境では、どのような温度範囲に耐えられますか?


極端な温度条件に対応するため、-55°C~175°Cで動作します。

パッケージは取り付けと組み立てにどのような影響を与えますか?


TO-252表面実装パッケージにより、電源設計向けの自動はんだ付けとコンパクトな基板配置が可能です。

スイッチング性能にはどのようなガッティング要件が必要ですか?


標準的なゲート充電は80nCであるため、ゲートドライバは、目的のスイッチング速度に十分な充電を供給する必要があります。

車両システムでの使用に対応する業界の資格はどのようなものがありますか?


自動車用途で使用されるコンポーネントに関するAEC‐Q101規格に適合しています。

有害物質に関する使用に関する環境制限はありますか?


指定された有害物質を制限するRoHS要件に準拠しています。

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