Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 40 V, 212 A N, 表面, 8-Pin パッケージSuperSO8 5 x 6, BSZ0503NSIATMA1

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梱包形態
RS品番:
244-1566
メーカー型番:
BSZ0503NSIATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

212A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

BSZ

パッケージ型式

SuperSO8 5 x 6

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.7mΩ

チャンネルモード

N

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS パワーMOSFET は、高性能降圧コンバータ向けに最適化されたモノリシック・ショットキー・ダイオードを内蔵しています。

Nチャンネル

優れた熱抵抗

鉛未使用リードめっき;RoHS準拠

IEC61249-2-21に準拠したハロゲン未使用

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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