Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 180 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD95R750P7ATMA1

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梱包形態
RS品番:
244-0883
メーカー型番:
IPD95R750P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.7mΩ

チャンネルモード

N

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon MOSFET 950V CoolMOS P7シリーズは、950Vスーパージャンクション技術において新しいベンチマークを設定し、18年以上にわたるスーパージャンクション技術革新のパイオニアとしての成果である、クラス最高の性能と最先端の使いやすさを兼ね備えています。

クラス最高のFOM RDS(on) x Eoss

クラス最高のDPAK RDS(on)

クラス最高のV(GS)th 3V

最適化された品揃え

ツェナーダイオードESD保護を内蔵

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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