Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 180 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD80R450P7ATMA1

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梱包形態
RS品番:
244-8551
メーカー型番:
IPD80R450P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon MOSFET 800 V CoolMOS P7シリーズは、800 Vスーパージャンクション技術において新しい基準を設定し、Infineonの18年以上にわたるスーパージャンクション技術の先進的なイノベーションから生まれた、クラス最高の性能と最先端の使いやすさを組み合わせた製品です。

クラス最高のFOM RDS(on) * Eoss

クラス最高のDPAK RDS(on)

クラス最高のV(GS)thの3 V

最適化された品揃え

内蔵ツェナーダイオードによるESD保護

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