Infineon MOSFET, Nチャンネル, 75 V, 180 A, 3 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 244-8551
- メーカー型番:
- IPD80R450P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 244-8551
- メーカー型番:
- IPD80R450P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 180A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 75V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | IPD | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 180A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 75V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ IPD | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon IPDシリーズMOSFET、75Vドレインソース電圧、180A連続ドレイン電流 - IPD80R450P7ATMA1
このMOSFETは、表面実装用途での高電流スイッチング向けに設計された3リードNチャンネルパワートランジスタです。過酷な条件下で広い温度範囲で動作し、低い伝導損失と堅牢なゲート保護が求められる用途に適しています。
特長：
• 75V ドレイン定格により、中電圧設計での使用が可能
• 180Aの連続電流により、高負荷スイッチングをサポート
• 3mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 81Wの消費電力により、高出力動作が可能
• 80nC標準ゲート充電により高速スイッチング制御をサポート
• 20Vゲート許容差によりゲート過電圧保護を実現
• 180Aの連続電流により、高負荷スイッチングをサポート
• 3mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 81Wの消費電力により、高出力動作が可能
• 80nC標準ゲート充電により高速スイッチング制御をサポート
• 20Vゲート許容差によりゲート過電圧保護を実現
用途
• 自動車用電源管理モジュールに最適
• 同期降圧コンバータ設計に最適
• 高電流モーター駆動段に使用
• 通信配電ユニットに使用可能
• バッテリ管理およびエネルギー貯蔵システムと併用
• 同期降圧コンバータ設計に最適
• 高電流モーター駆動段に使用
• 通信配電ユニットに使用可能
• バッテリ管理およびエネルギー貯蔵システムと併用
どのような極端な熱に耐えられますか?
指定された条件下で-55°C～+150°Cまで動作する定格です。
基板アセンブリ用にどのようにパッケージされていますか？
はんだ取り付け用のTO‐252表面実装パッケージで提供されます。
どのようなゲートドライブに関する考慮事項が適用されますか?
このゲートは最大20 Vの耐電圧に対応し、ドライブサイズに対して標準的な総ゲート電荷量は80 nCです。
自動車の信頼性基準に適合していますか?
自動車部品認定のAEC‐Q101要件に適合しています。
環境コンプライアンスの詳細はありますか?
このデバイスはRoHSに準拠しており、有害物質を制限します。
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