Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 180 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD050N10N5ATMA1

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梱包形態
RS品番:
244-8544
メーカー型番:
IPD050N10N5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

シリーズ

IPD

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

N

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon MOSFET OptiMOSTM5パワートランジスタは、鉛未使用のリードめっきが採用されており、RoHSに準拠し、IEC61249-2-21に従ってハロゲン未使用です。

Nチャンネル、ノーマルレベル

優れたゲート電荷xRDS(on)積(FOM)

低いオン抵抗 RDS(on)

動作温度: 175 °C

高周波スイッチングに最適

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