Infineon MOSFET, Nチャンネル, 75 V, 180 A, 3 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252
- RS品番:
- 244-8543
- メーカー型番:
- IPD050N10N5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示2500個小計, 2500のリール巻き:*
¥593,138
(税抜)
¥652,450
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年2月17日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ¥237.255 | ¥593,138 |
| 5000 - 22500 | ¥233.766 | ¥584,415 |
| 25000 - 35000 | ¥230.278 | ¥575,695 |
| 37500 - 47500 | ¥226.789 | ¥566,973 |
| 50000 + | ¥223.30 | ¥558,250 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 244-8543
- メーカー型番:
- IPD050N10N5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 180A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 75V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | IPD | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 180A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 75V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ IPD | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon IPDシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧75V、最大連続ドレイン電流180A - IPD050N10N5ATMA1
このMOSFETは、要求の厳しい環境での高電流スイッチング向けに設計された表面実装Nチャンネルパワートランジスタで、幅広い動作温度耐性と業界の環境基準への準拠を実現します。
特長:
• 最大ドレイン・ソース電圧 75 V により、中電圧スイッチングが可能
• 180Aの連続ドレイン電流により、高電流用途に対応
• 3 mΩの低オン抵抗により、導通損失を最小限に抑制
• 81Wの消費電力により、持続的な熱負荷処理が可能
• 80 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なゲートドライブ要件を実現
• 最大20 Vのゲート・ソース定格により、堅牢なゲートドライブに対応
• 180Aの連続ドレイン電流により、高電流用途に対応
• 3 mΩの低オン抵抗により、導通損失を最小限に抑制
• 81Wの消費電力により、持続的な熱負荷処理が可能
• 80 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なゲートドライブ要件を実現
• 最大20 Vのゲート・ソース定格により、堅牢なゲートドライブに対応
用途
• 自動車用配電ユニットに最適
• 産業機器のDC-DCコンバータに最適
• 高電流を必要とするモーター駆動段階に使用
• バッテリ管理および保護に使用可能
• 表面実装アセンブリの電源スイッチングアレイと併用
• 産業機器のDC-DCコンバータに最適
• 高電流を必要とするモーター駆動段階に使用
• バッテリ管理および保護に使用可能
• 表面実装アセンブリの電源スイッチングアレイと併用
どのような温度範囲で動作しますか?
-55°C~175°Cの幅広い温度範囲で動作し、過酷な温度条件に対応します。
パッケージは、取り付けと熱性能にどのような影響を与えますか?
TO-252表面実装パッケージは、コンパクトな基板フットプリントを実現し、プリント基板への熱伝達を容易にし、熱管理を実現します。
順方向伝導に関連するダイオードの特性は?
本質ダイオードは、伝導イベント中に約1.3 Vの順方向電圧を発揮します。
環境物質制限のある用途に適していますか?
RoHS要件に準拠し、特定の有害物質に関する制限を満たしています。
どのようなチャンネル方向とモードを使用しますか?
標準的な電源スイッチング動作を実現するため、エンハンスメントモードで動作するN型チャンネルを採用しています。
関連ページ
- Infineon MOSFET 75 V 3 mΩ 3ピン, パッケージ:TO-252
- Infineon MOSFET 600 V 180 mΩ 3ピン, パッケージ:TO-252
- Infineon MOSFET 600 V 180 mΩ 3ピン, パッケージ:TO-252
- Infineon MOSFET 40 V 1.4 mΩ 3ピン, パッケージ:TO-252
- Infineon MOSFET 100 V 0.7 mΩ 3ピン, パッケージ:TO-252
- Infineon MOSFET 40 V 1.2 mΩ 3ピン, パッケージ:TO-252
- Infineon MOSFET 1.7 A, パッケージ:TO-252
- Infineon MOSFET 75 A, パッケージ:TO-252
