onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 58 A N, スルーホール, 8-Pin パッケージWDFN, NTTFS012N10MDTAG
- RS品番:
- 244-9189
- メーカー型番:
- NTTFS012N10MDTAG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 70 | ¥362.40 | ¥1,812 |
| 75 - 695 | ¥311.00 | ¥1,555 |
| 700 - 945 | ¥266.60 | ¥1,333 |
| 950 - 1195 | ¥222.00 | ¥1,110 |
| 1200 + | ¥178.00 | ¥890 |
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- RS品番:
- 244-9189
- メーカー型番:
- NTTFS012N10MDTAG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 58A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| シリーズ | NTT | |
| パッケージ型式 | WDFN | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 22mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 最大許容損失Pd | 117W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 13nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 22 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 58A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
シリーズ NTT | ||
パッケージ型式 WDFN | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 22mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
最大許容損失Pd 117W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 22 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor MOSFETは、絶縁型DC-DCコンバータのプライマリスイッチとして使用され、DC-DCおよびAC-DCの同期整流、AC-DCアダプタ(USB PD)の同期整流、負荷スイッチ、ホットスワップおよびOリングスイッチ、BLDCモーターやソーラーインバーターに使用されています。
シールドゲートMOSFET技術
導通損失を最小限に抑える低RDS(on)
ドライバ損失を最小限に抑えるための低QG・静電容量
低QRR、ソフトリカバリボディダイオード
低QOSSで軽負荷効率を向上
これらのデバイスは鉛未使用、ハロゲン未使用 / BFR未使用、ベリリウム未使用で、RoHS準拠
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