Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 122 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSOF-8, IPT063N15N5ATMA1

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249-3356
メーカー型番:
IPT063N15N5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

122A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

シリーズ

IPT

パッケージ型式

HSOF-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

81W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon Optimos 5パワーMOSFETはNチャンネルMOSFETで、低いオン抵抗と優れた耐熱性を提供します。このデバイスは鉛とハロゲン未使用です。表面実装のPG-HSOF-8パッケージに収められています。

Vds（ドレイン-ソース間電圧）：150V

Rds（最大オン）は6.3mΩ、Idは122A

Qdss値とQg値はそれぞれ131 nCと47 nC

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