Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 300 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSOF, IPT020N10N3ATMA1

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梱包形態
RS品番:
906-4356
メーカー型番:
IPT020N10N3ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

300A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

OptiMOS 3

パッケージ型式

HSOF

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

156nC

順方向電圧 Vf

1V

最大許容損失Pd

375W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

高さ

2.4mm

長さ

10.58mm

規格 / 承認

No

幅

10.1 mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

Infineon OptiMOS™3パワーMOSFET、100 V以上


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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