Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 190 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSOF-8, IPT039N15N5ATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥752.00

(税抜)

￥827.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 3,800 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1 - 39￥752
40 - 399￥666
400 - 799￥582
800 - 1599￥502
1600 +￥420

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
249-3349
メーカー型番:
IPT039N15N5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

190A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

シリーズ

IPT

パッケージ型式

HSOF-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon Optimos 5パワーMOSFETはNチャンネルMOSFETで、低いオン抵抗と優れた耐熱性を提供します。このデバイスは鉛とハロゲン未使用です。表面実装のPG-HSOF-8パッケージに収められています。

ドレイン・ソース間電圧（Vdss）：150 V

連続ドレイン電流(Id)@25℃：21A(Ta)、190A(Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：8V／10V

動作温度：-55°C → 175°C (TJ)

関連ページ