STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 30 A, 7ピン, パッケージ：H2PAK-7
- RS品番:
- 249-6653
- メーカー型番:
- SCT040H65G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 249-6653
- メーカー型番:
- SCT040H65G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 650 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 30 A | |
| ピン数 | 7 | |
| パッケージ型式 | H2PAK-7 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 650 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 30 A | ||
ピン数 7 | ||
パッケージ型式 H2PAK-7 | ||
取付タイプ 表面 | ||
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
AEC-Q101 qualified
Very low RDS(on) over the entire temperature range
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Source sensing pin for increased efficiency
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