Infineon パワーMOSFET ハーフブリッジ, タイプNチャンネル, 60 A 40 V, 8-Pin N, IAUC60N04S6L030HATMA1 パッケージSuperSO8 5 x 6

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梱包形態
RS品番:
249-6889
メーカー型番:
IAUC60N04S6L030HATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

OptiMOS-TM6

パッケージ型式

SuperSO8 5 x 6

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

N

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

最大許容損失Pd

75W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

27nC

順方向電圧 Vf

1.1V

トランジスタ構成

ハーフブリッジ

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS パワートランジスタは、車載用途向けのNチャンネルパワー MOSFET である。動作チャンネルはNです。AEC Q101の認証を取得している。MSL1 が260℃ピークリフローまで対応する。グリーン製品（RoHS指令準拠）であり、100％アバランシェテスト済みである。

175 °C動作温度

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