Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 80 A, 3.20 mΩ, 80 nC, 8ピン, パッケージ:SuperSO8 5 x 6
- RS品番:
- 249-6896
- メーカー型番:
- IAUC80N04S6L032ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋5個入り) 小計:*
¥1,330
(税抜)
¥1,463
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 4,590 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 145 | ¥266.00 | ¥1,330 |
| 150 - 1495 | ¥233.40 | ¥1,167 |
| 1500 - 1995 | ¥200.20 | ¥1,001 |
| 2000 - 3995 | ¥166.00 | ¥830 |
| 4000 + | ¥133.60 | ¥668 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 249-6896
- メーカー型番:
- IAUC80N04S6L032ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 80A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | SuperSO8 5 x 6 | |
| シリーズ | IAUC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.20mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 80A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 SuperSO8 5 x 6 | ||
シリーズ IAUC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.20mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon IAUCシリーズMOSFET、最大ドレイン‐ソース電圧40V、最大連続ドレイン電流80A - IAUC80N04S6L032ATMA1
このMOSFETは、要求の厳しい環境での高電流スイッチングおよび電力管理用に設計されたNチャンネル強化デバイスです。幅広い温度範囲で動作し、コンパクトな電力処理が必要な表面実装用途向けに設計されています。このデバイスは自動車試験規格および環境制限に適合しており、堅牢な耐熱性と規制された材料構成を必要とするシステムに適しています。
特長および利点:
• 3.20mΩ Rdsにより、低い導通損失を実現し、効率的な電力伝送を実現
• 連続ドレイン電流 80A により、大きな負荷電流に対応
• 81Wの消費電力により、持続的な高出力動作を実現
• 80nCの標準ゲート充電により、制御されたスイッチング性能を実現
• 20Vゲート‐ソース許容差により、高いゲートエキストリングから保護
• 連続ドレイン電流 80A により、大きな負荷電流に対応
• 81Wの消費電力により、持続的な高出力動作を実現
• 80nCの標準ゲート充電により、制御されたスイッチング性能を実現
• 20Vゲート‐ソース許容差により、高いゲートエキストリングから保護
用途
• 自動車用電源システムのDC‐DCコンバータ出力に最適
• 車両の高電流モータードライバーステージに最適
• 表面実装が必要な配電モジュールで使用
• バッテリー管理および電荷回路に使用可能
• 高温までの熱応力環境に最適
• 車両の高電流モータードライバーステージに最適
• 表面実装が必要な配電モジュールで使用
• バッテリー管理および電荷回路に使用可能
• 高温までの熱応力環境に最適
基板への組み立てには、どのようなパッケージタイプを使用しますか?
表面実装用のSuperSO8 5x6パッケージで提供されます。
動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか?
-55°C~175°Cまでの幅広い温度範囲で動作するように設計されています。
自動車認定要件をどのように満たしていますか?
コンポーネントストレススクリーニングに関するAEC‐Q101車載規格に適合しています。
このデバイスは、環境材料の制限に適合していますか?
特定の有害物質を制限するRoHS要件に適合しています。
使用中の最大許容ゲート・ソース電圧はどのくらいですか?
このデバイスは、ゲートとソース間で最大20 Vの電圧を実現します。
関連ページ
- Infineon MOSFET 40 V 3.20 mΩ 8ピン, パッケージ:SuperSO8 5 x 6
- Infineon MOSFET 20 V 1.4 mΩ 8ピン, パッケージ:SuperSO8 5 x 6
- Infineon MOSFET 20 V 1.4 mΩ 8ピン, パッケージ:SuperSO8 5 x 6
- Infineon MOSFET 40 V 1.4 mΩ 8ピン, パッケージ:SuperSO8 5 x 6
- Infineon MOSFET 40 V 1.4 mΩ 8ピン, パッケージ:SuperSO8 5 x 6
- Infineon MOSFET 40 V 0.8 mΩ パッケージ:SuperSO
- Infineon MOSFET 40 V 0.9 mΩ パッケージ:SuperSO
- Infineon MOSFET 80 V 7.4 mΩ パッケージ:SuperSO
