Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 35 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB35N10S3L26ATMA1

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梱包形態
RS品番:
249-6902
メーカー型番:
IPB35N10S3L26ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

35A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

iPB

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

81W

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS パワートランジスタは、車載用途向けのNチャンネルパワー MOSFET である。動作チャンネルはNです。AEC Q101の認証を取得している。MSL1 が260℃ピークリフローまで対応する。グリーン製品（RoHS指令準拠）であり、100％アバランシェテスト済みである。

175 °C動作温度

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