Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 64 A, 1.7 mΩ, 80 nC, 7ピン, パッケージ：TO-263

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RS品番:
249-6949
メーカー型番:
IMBF170R450M1XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

64A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

IMBF

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.7mΩ

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

81W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon IMBFシリーズMOSFET、100Vドレインソース電圧、64A連続ドレイン電流 - IMBF170R450M1XTMA1


このMOSFETは、表面実装アセンブリの電源スイッチング用に設計された高電流Nチャンネルトランジスタです。過酷な環境に適した幅広い温度範囲で動作し、堅牢なゲートドライブ制御を必要とするシステム内で低い導通損失と優れた電力処理を実現します。

特長：


• 1.7mΩの低オン抵抗により、伝導損失と熱を低減
• 100Vドレイン・ソース定格により、中電圧スイッチング用途を実現
• 64Aの連続ドレイン電流により、高電流電力段階をサポート
• 81Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 80nCの標準ゲート充電により、適度なドライブで効率的なスイッチングを実現
• 20Vゲートソース制限により、堅牢なゲートドライブ設計に余裕を提供

用途


• 産業用電源のDC-DCコンバータに適合
• パワーエレクトロニクスシステムのモータードライブステージに最適
• 高電流バッテリ管理における負荷スイッチングに使用
• 電力コンバータの同期整流に使用可能
• コンパクトボードの表面実装電源モジュールに最適

高速スイッチングにはどのようなゲートドライブに関する考慮事項が必要ですか?


80nCのゲート電荷を供給および供給できるドライバを使用して、スイッチング損失を管理しながら、必要なdV/dtを実現します。

設計における熱管理にはどのように取り組む必要がありますか?


TO-263フットプリントの下に適切なプリント基板銅面積とサーマルバイアスを実装し、連続動作中の81Wのジャンクション損失を消散します。

過剰なゲート電圧からデバイスを保護する制限は?


ゲートドライブ振幅を最大20 Vのゲートソース内に保つことで、ゲート酸化ストレスやデバイスの故障を防止します。

動作温度範囲は、用途の選択にどのように影響しますか?


-55°C～175°Cの温度範囲により、他のコンポーネントが適していない場合、極端な低温または高い周囲温度の環境での展開が可能です。

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