Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, -20 V, 630 mA, 550 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ:SOT-323

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RS品番:
250-0553
メーカー型番:
BSS209PWH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

630mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-20V

パッケージ型式

SOT-323

シリーズ

BSS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

550mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

81W

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

+150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon BSSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧20V、最大連続ドレイン電流0.63A - BSS209PWH6327XTSA1


このMOSFETは、要求の厳しい電気環境での表面実装用途向けに設計されたPチャンネルエンハンスメントモードトランジスタです。広い温度範囲で動作し、コンパクトなSOT-323パッケージで制御されたローサイドスイッチングと電源管理を必要とする回路に適しています。このデバイスは、小信号および自動車関連回路に実用的なゲート充電特性と控えめな電力処理を提供します。

特長および利点:


• 550 mΩ Rds(on)により、オン状態の伝導損失を低減
• 80nCのゲート荷電により、予測可能なスイッチング性能を実現
• 1Vの順方向電圧により、ダイオード伝導における電圧降下を最小限に抑制
• 81Wの消費電力により、過渡熱負荷をサポート
• ±20Vのゲート-ソース許容差により、柔軟なドライブ配置が可能

用途


• 自動車制御インターフェース回路に最適
• コンパクトなパワーレール逆極性保護に最適
• バッテリ管理検出およびスイッチングに使用
• ポータブルデバイスの電源シーケンシングに使用可能
• 表面実装信号レベル電源スイッチングに便利

どのような動作温度に耐えられますか?


-55°C~+150°Cで動作します。

ピン数と実装方式はどのような仕様ですか?


SOT-323パッケージの表面実装用に設計された3ピンデバイスです。

産業用途にはどのような認証や認証がありますか?


RoHS準拠で、AEC-Q101車載規格要件に適合しています。

最大許容ドレイン・ソース間電圧とゲート制限は?


ドレイン・ソース定格は-20V、最大ゲート・ソース電圧は±20Vです。

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