Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 60 V, 150 mA, 25 Ω, 1 nC, 3ピン, パッケージ：SC-70
- RS品番:
- 826-9945
- メーカー型番:
- BSS84PWH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- 826-9945
- メーカー型番:
- BSS84PWH6327XTSA1
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- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 150mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SC-70 | |
| シリーズ | SIPMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 25Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 最大許容損失Pd | 300mW | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 1nC | |
| 順方向電圧 Vf | -1.12V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 800μm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 1.25mm | |
| 長さ | 2mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 150mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SC-70 | ||
シリーズ SIPMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 25Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
最大許容損失Pd 300mW | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 1nC | ||
順方向電圧 Vf -1.12V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 800μm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 1.25mm | ||
長さ 2mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 60V、最大連続ドレイン電流 150mA - BSS84PWH6327XTSA1
このMOSFETは、車載および産業用途におけるコンパクトな表面実装用途向けに設計されたPチャネル・エンハンスメント型デバイスです。幅広い温度範囲で動作し、過酷な環境にも対応しながら、中程度の電圧で小電流の制御・スイッチングを行います。
特長：
• 60Vのドレイン定格により、中程度の電圧でのスイッチングに対応
• 150mAの連続ドレイン電流により、低電力回路をサポート
• 最大25Ωのオン抵抗（RDS(on)）により、軽負荷のスイッチング時の損失を低減
• 300mWの消費電力により、継続的な熱負荷に対応
• 20Vのゲート耐圧により、さまざまなゲート駆動レベルに対応
• 1nCの標準ゲート電荷により、高速かつ低エネルギーでのスイッチングを実現
• 150mAの連続ドレイン電流により、低電力回路をサポート
• 最大25Ωのオン抵抗（RDS(on)）により、軽負荷のスイッチング時の損失を低減
• 300mWの消費電力により、継続的な熱負荷に対応
• 20Vのゲート耐圧により、さまざまなゲート駆動レベルに対応
• 1nCの標準ゲート電荷により、高速かつ低エネルギーでのスイッチングを実現
用途
• 車載制御モジュールのロードスイッチに最適
• センサーインターフェース回路の電圧レベル変換に最適
• 低電流経路を備えたバッテリ管理に使用
• テレマティックスユニットの保護回路のスイッチングに使用可能
• コンパクトな家電製品の電源回路に最適
• センサーインターフェース回路の電圧レベル変換に最適
• 低電流経路を備えたバッテリ管理に使用
• テレマティックスユニットの保護回路のスイッチングに使用可能
• コンパクトな家電製品の電源回路に最適
実際のシステムで使用する場合、どの程度の環境条件に対応できますか？
-55°C～150°Cで動作し、長時間の低温始動やボンネット内の高温条件に適しています。
高密度の基板配置にはどのようなパッケージが適していますか？
1.25x2 mmのフットプリントを備えたSC‐70 3ピン表面実装型パッケージに収められており、部品間隔が狭い高密度実装に適しています。
ゲート電荷によって、必要な駆動条件はどのように変わりますか？
標準的なQgは1nCで、一般的な低電流ドライバでも低消費電力で高速なスイッチングが可能です。
自動車の信頼性規格に適合していますか？
車両内の多くの電子サブシステムに適したAEC‐Q101認定に適合しています。
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