型番

2 Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 36 A, 表面 80 V, 12-Pin エンハンスメント型, SIZF4800LDT-T1-GE3 パッケージ3 x 3FS

RS品番:: 280-0006
メーカー型番:: SIZF4800LDT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

2 Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 36 A, 表面 80 V, 12-Pin エンハンスメント型, SIZF4800LDT-T1-GE3 パッケージ3 x 3FS

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RS品番:: 280-0006
メーカー型番:: SIZF4800LDT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	36A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	80V
	シリーズ	SIZF4800LDT
	パッケージ型式	3 x 3FS
	取付タイプ	表面
	ピン数	12
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	80 V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 36A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V
	シリーズ SIZF4800LDT
	パッケージ型式 3 x 3FS
	取付タイプ表面
	ピン数 12
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 80 V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

Vishay MOSFETはデュアルNチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

TrenchFETパワーMOSFET

100 % Rg及びUISテスト済み

対称デュアルNチャンネル

完全鉛(鉛)フリーデバイス

2 Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 36 A, 表面 80 V, 12-Pin エンハンスメント型, SIZF4800LDT-T1-GE3 パッケージ3 x 3FS

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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