Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 430 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK （8x8LR）, SQJQ184E-T1_GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥1,181.00

(税抜)

￥1,299.10

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 694 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 58￥590.50￥1,181
60 - 598￥524.00￥1,048
600 - 798￥457.00￥914
800 - 1598￥391.00￥782
1600 +￥324.50￥649

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
252-0312
メーカー型番:
SQJQ184E-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

430A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PowerPAK （8x8LR）

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0014mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

最大許容損失Pd

214W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

43nC

動作温度 Max

175°C

幅

4.9 mm

長さ

6.15mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Vishay自動車用MOSFETは、専用のプロセスフローで製造されており、堅牢性が維持されています。最大ジャンクション温度定格175 °CのVishay Siliconix AEC-Q101認定SQシリーズは、低オン抵抗nチャンネル及びpチャンネルトレンチFET技術を備え、鉛(Pb)及びハロゲンフリーSOパッケージに収められています。

TrenchFETパワーMOSFET

AEC-Q101認定

100 % Rg及びUISテスト済み、

薄型、高さ1.9 mm

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ