DiodesZetex MOSFET, タイプPチャンネル 12 V, 10.7 A エンハンスメント型, 9-Pin パッケージX4-DSN1515-9, DMT12H060LCA9-7

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥1,397.00

(税抜)

￥1,536.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,980 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 40￥139.70￥1,397
50 - 90￥121.90￥1,219
100 - 240￥105.10￥1,051
250 - 990￥87.20￥872
1000 +￥69.40￥694

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
254-8644
メーカー型番:
DMT12H060LCA9-7
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

10.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

12V

パッケージ型式

X4-DSN1515-9

ピン数

9

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

41mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

1.73W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

動作温度 Max

175°C

長さ

1.46mm

高さ

0.225mm

規格 / 承認

No

幅

1.46 mm

自動車規格

AEC-Q101

DiodeZetex Pチャンネル強化モードMOSFETは、オンステート抵抗を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率の電力管理用途に最適です。負荷スイッチ及びポー

低オン抵抗、高速スイッチング速度、ESD保護、ハロゲン及びアンチモニウムフリー

関連ページ