Vishay パワーMOSFET, タイプPチャンネル -50 V, -5.3 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 256-7310
- メーカー型番:
- IRFR9010TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 256-7310
- メーカー型番:
- IRFR9010TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -5.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -50V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | IRFR9010 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.5Ω | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | -5.5V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 25W | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 高さ | 2.39mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id -5.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -50V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ IRFR9010 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.5Ω | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf -5.5V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9.1nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 25W | ||
動作温度 Max +150°C | ||
高さ 2.39mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay IRFR9010シリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧: -50 V、最大消費電力: 25 W - IRFR9010TRPBF
このパワーMOSFETは、電子システムや産業用システムの電源スイッチング用に設計されたPチャンネル表面実装デバイスです。負電圧スイッチング用の制御された導通を実現し、コンパクトなTO-252パッケージで中程度の電流処理と耐熱性を必要とする用途向けに設計されています。
特長：
• -50 Vドレインソース定格により、負電圧スイッチング機能を実現 • -5.3 Aの連続ドレイン電流により、中電力負荷をサポート • 0.5Ω Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減 • 25 Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能 • 9.1 nC標準ゲート充電により、適度なスイッチング速度をサポート • 高温用途向けの最高定格動作温度: +150°C
用途
• バッテリ保護および極性スイッチ回路に最適 • オートメーションコントローラーの電源管理に最適 • 電気システムの逆極性負荷スイッチングに使用 • 電源の中電流MOSFETステージに使用可能 • Pチャンネルスイッチングを必要とするコンパクトな表面実装アセンブリに最適
どのような取り付け形式を使用し、熱経路にどのような影響を与えますか?
このデバイスは、TO-252 (DPAK)表面実装パッケージで提供され、基板への熱放散を向上させるための金属タブと基板ランドを備えています。
デバイスの損傷を防止するためのゲート電圧制限は何ですか?
ゲートソース電圧は、ゲート酸化物の過度のストレスを防止するために±20 V以内に保持する必要があります。
周囲温度は、許容動作にどのような影響を与えますか?
最大ジャンクション定格+150 °Cにより、上限熱を定義
設計者は、周囲温度が上昇するにつれて、電流を下げて基板を十分に冷却する必要があります。
プリント基板フットプリントを設計する際には、どのようなピン数と構成を期待すべきですか?
このパッケージは、標準のTO-252ピンアウトと一致する3つのピンを使用し、ドレイン、ゲート、ソース接続の簡単なフットプリント設計を実現します。
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