Vishay パワーMOSFET, タイプPチャンネル, -50 V, -5.3 A, 0.5 Ω, 9.1 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

RS品番:: 256-7310
メーカー型番:: IRFR9010TRPBF
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay パワーMOSFET, タイプPチャンネル, -50 V, -5.3 A, 0.5 Ω, 9.1 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

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RS品番:: 256-7310
メーカー型番:: IRFR9010TRPBF
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	-5.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	-50V
	シリーズ	IRFR9010
	パッケージ型式	TO-252
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.5Ω
	順方向電圧 Vf	-5.5V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	9.1nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	20V
	最大許容損失Pd	25W
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	+150°C
	高さ	2.39mm
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id -5.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds -50V
	シリーズ IRFR9010
	パッケージ型式 TO-252
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.5Ω
	順方向電圧 Vf -5.5V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9.1nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 20V
	最大許容損失Pd 25W
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max +150°C
	高さ 2.39mm
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

Vishay IRFR9010シリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧50V、最大連続ドレイン電流5.3A - IRFR9010TRPBF

このパワーMOSFETは、表面実装アセンブリのスイッチングおよび電源管理用に設計されたPチャンネル半導体デバイスです。広い熱範囲で動作し、コンパクトなTO‐252パッケージで制御された高電流スイッチングと中程度の電圧処理を必要とする回路に適しています。

特長：

• 50Vのドレインソース間定格により、中電圧スイッチングが可能
• 0.5Ω Rds(on)により、負荷経路での導通損失を低減
• 5.3Aの連続ドレイン電流により、持続的な電流供給をサポート
• 9.1nC 標準ゲート電荷により、より高速なゲートドライブ応答を実現
• 25Wの最大消費電力により、高い熱負荷を実現
• -55°C～+150°Cの動作範囲で過酷な環境に対応

用途

• 電源レールのハイサイドスイッチングに最適
• バッテリー管理と負荷遮断に最適
• 表面実装が必要なコンパクトコンバータで使用
• 逆極性保護回路に使用可能
• 電子機器の検証における熱ストレス試験に最適

どのようなパッケージを採用しており、実装にはどのような影響がありますか？

表面実装用に設計されたTO‐252パッケージに収められており、リフロープロセスに対応するロープロファイルオプションを提供し、熱放散のためプリント基板銅への熱結合を可能にします。

設計時にどのようなゲートドライブの制限を考慮すべきですか?

このデバイスは、ゲートとソース間の最大20 Vに耐えるため、ゲートドライバはその範囲内に留まる必要があり、ゲート酸化物の損傷を防止する必要があります。

プリント基板での熱管理にはどのように取り組む必要がありますか?

最大消散電力25Wを考慮した設計者は、パッケージの下に十分な銅面積またはサーマルバイアを配置して、熱を分散し、接合部温度を安全な範囲内に維持する必要があります。

スイッチング性能に関する特別な考慮事項はありますか?

標準9.1nCのゲート電荷は、中程度のゲートドライブエネルギーを意味

ドライバの選択は、スイッチング速度とEMIとドライブ電力のバランスを取る必要があります。