Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 190 V, 1.5 A, 表面, 6-Pin パッケージPowerPAK, SIB452DK-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
256-7409
メーカー型番:
SIB452DK-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

1.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

190V

パッケージ型式

PowerPAK

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.033Ω

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

高さ

0.8mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay SemiconductorのNチャンネルモスフェットは、新しい熱的に強化されたPowerPAK SC-75パッケージで、フットプリント面積が小さく、オン抵抗が低くなっています。

TrenchFETパワーモスフェット

用途: ポータブルデバイス用ブーストコンバータ

鉛(Pb)フリー及びハロゲンフリー

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