Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 27 A, 表面, 8-Pin パッケージPQFN, IRFH5215TRPBF

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梱包形態
RS品番:
257-5871
メーカー型番:
IRFH5215TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

27A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

PQFN

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

58mΩ

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

21nC

最大許容損失Pd

104W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

6mm

高さ

0.9mm

5 mm

自動車規格

なし

Infineon strongIRFETパワーMOSFETファミリは、低RDS及び高電流性能に最適化されています。このデバイスは、性能と耐久性を必要とする低周波数アプリケーションに最適です。この包括的なポートフォリオは、 DC モータ、バッテリ管理システム、インバータ、 DC-DC コンバータなど、幅広いアプリケーションに対応します。

低RDSon (< 58 m)

基板への低熱抵抗(<12 °C/W)

100 % Rgテスト済み

低プロファイル(<09 mm)

業界標準のピンアウト

既存の表面実装技術に対応

RoHS準拠、鉛フリー、フロミドフリー、環境に対するハロゲンフリー

MSL1、産業資格

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