Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 280 A, 表面, 8-Pin パッケージPQFN
- RS品番:
- 258-3971
- メーカー型番:
- IRFH8303TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
- RS品番:
- 258-3971
- メーカー型番:
- IRFH8303TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 280A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.7mΩ | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 58nC | |
| 最大許容損失Pd | 156W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 6mm | |
| 幅 | 5 mm | |
| 高さ | 0.9mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 280A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.7mΩ | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 58nC | ||
最大許容損失Pd 156W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 6mm | ||
幅 5 mm | ||
高さ 0.9mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon StrongIRFETパワーMOSFETファミリは、低RDS(on)及び高電流性能に最適化されています。このデバイスは、性能と堅牢性を必要とする低周波数用途に最適です。この包括的なポートフォリオは、DCモータ、バッテリ管理システム、インバータ、DC-DCコンバータなどの幅広い用途に対応しています。
以前のシリコン世代に比べてボディダイオードがソフト
幅広いポートフォリオを用意
電力密度の向上