Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 0.9 A, 表面, 6-Pin パッケージTSOP-6

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RS品番:
257-9289
メーカー型番:
IRF5802TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

0.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

TSOP-6

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

150mΩ

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

4.5nC

最大許容損失Pd

2W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon IRFシリーズは、実績のあるシリコンプロセスを使用したパワーモスフェットのIR Mosfetファミリです。設計者には、DCモータ、インバータ、SMPS、照明、負荷スイッチ、バッテリ駆動などのさまざまな用途をサポートするための幅広いデバイスポートフォリオを提供します。

幅広いSOAに対応する平面セル構造

ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化

JEDEC規格に準拠した製品認定

100 kHz未満のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン

業界標準の表面実装パワーパッケージ

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