Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 0.9 A, 表面, 6-Pin パッケージTSOP-6

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計:*

¥60,225.00

(税抜)

¥66,246.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 3,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
3000 - 12000¥20.075¥60,225
15000 - 27000¥19.611¥58,833
30000 - 72000¥19.147¥57,441
75000 - 147000¥18.683¥56,049
150000 +¥18.219¥54,657

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
257-9289
メーカー型番:
IRF5802TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

0.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

TSOP-6

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

150mΩ

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

2W

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

4.5nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon IRFシリーズは、実績のあるシリコンプロセスを使用したパワーモスフェットのIR Mosfetファミリです。設計者には、DCモータ、インバータ、SMPS、照明、負荷スイッチ、バッテリ駆動などのさまざまな用途をサポートするための幅広いデバイスポートフォリオを提供します。

幅広いSOAに対応する平面セル構造

ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化

JEDEC規格に準拠した製品認定

100 kHz未満のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン

業界標準の表面実装パワーパッケージ

関連ページ