仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	-3.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	-40V
	シリーズ	HEXFET
	パッケージ型式	TSOP-6
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	190mΩ
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	1.3W
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	25nC
	順方向電圧 Vf	1.3V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id -3.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds -40V
	シリーズ HEXFET
	パッケージ型式 TSOP-6
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 190mΩ
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 1.3W
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 25nC
	順方向電圧 Vf 1.3V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

Datasheet - IRF5803TRPBF

Infineon IRFシリーズは、TSOP 6 (Micro 6)パッケージに収められた-40 VシングルPチャンネルパワーモスフェットです。パワーモスフェットのIR mosfetファミリは、実績のあるシリコンプロセスを採用し、DCモータ、インバータ、SMPS、照明、負荷スイッチ、バッテリ駆動などのさまざまな用途をサポートするための幅広いデバイスポートフォリオを提供します。このデバイスは、さまざまな表面実装及びスルーホールパッケージで提供され、業界標準のフットプリントで設計が簡単です。

幅広いSOAに対応する平面セル構造

ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化

JEDEC規格に準拠した製品認定

100 kHz未満のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン

業界標準の表面実装パワーパッケージ

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル -40 V, -3.4 A, 表面, 6-Pin パッケージTSOP-6

関連ページ