Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 600 mA エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージTSOP

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RS品番:
919-4725
メーカー型番:
IRF5801TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

600mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TSOP

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.2Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

2W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.9nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

3mm

幅

1.5 mm

規格 / 承認

No

高さ

0.9mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon


InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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