Infineon MOSFET, タイプNチャンネル -40 V, -3.4 A, 表面, 6-Pin パッケージTSOP-6, IRF5803TRPBF

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梱包形態
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257-9292
メーカー型番:
IRF5803TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

-3.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-40V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TSOP-6

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

190mΩ

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25nC

最大許容損失Pd

1.3W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon IRFシリーズは、TSOP 6 (Micro 6)パッケージに収められた-40 VシングルPチャンネルパワーモスフェットです。パワーモスフェットのIR mosfetファミリは、実績のあるシリコンプロセスを採用し、DCモータ、インバータ、SMPS、照明、負荷スイッチ、バッテリ駆動などのさまざまな用途をサポートするための幅広いデバイスポートフォリオを提供します。このデバイスは、さまざまな表面実装及びスルーホールパッケージで提供され、業界標準のフットプリントで設計が簡単です。

幅広いSOAに対応する平面セル構造

ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化

JEDEC規格に準拠した製品認定

100 kHz未満のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン

業界標準の表面実装パワーパッケージ

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