Infineon MOSFET, Nチャンネル, -12 V, -7.4 A, 199 mΩ, 8.1 nC, 8ピン, パッケージ：SO-8
- RS品番:
- 257-9307
- メーカー型番:
- IRF7329TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 257-9307
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- IRF7329TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -7.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -12V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 199mΩ | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 8V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8.1nC | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 2W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 4mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 高さ | 1.75mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id -7.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -12V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ HEXFET | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 199mΩ | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 8V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.1nC | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
最大許容損失Pd 2W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 4mm | ||
長さ 5mm | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
高さ 1.75mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IRFシリーズは、SO 8パッケージに収められた-12 VデュアルPチャンネルHEXFETパワーモスフェットです。
RoHS準拠
低RDS (オン)
デュアルPチャンネルMOSFET
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