Infineon MOSFET, タイプNチャンネル -12 V, -7.4 A, 8-Pin パッケージSO-8, IRF7329TRPBF
- RS品番:
- 257-9308
- メーカー型番:
- IRF7329TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋5個入り) 小計：*
￥1,053.00
(税抜)
￥1,158.30
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫限り
- 3,400 は海外在庫あり（最終在庫）
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | ￥210.60 | ￥1,053 |
| 125 - 1195 | ￥184.80 | ￥924 |
| 1200 - 1595 | ￥158.20 | ￥791 |
| 1600 - 3195 | ￥132.00 | ￥660 |
| 3200 + | ￥105.40 | ￥527 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 257-9308
- メーカー型番:
- IRF7329TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -7.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -12V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 199mΩ | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±8 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8.1nC | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 2W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 4 mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 高さ | 1.75mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id -7.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -12V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ HEXFET | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 199mΩ | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±8 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.1nC | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
最大許容損失Pd 2W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 4 mm | ||
長さ 5mm | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
高さ 1.75mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IRFシリーズは、SO 8パッケージに収められた-12 VデュアルPチャンネルHEXFETパワーモスフェットです。
RoHS準拠
低RDS (オン)
デュアルPチャンネルMOSFET