Infineon MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 10 A, 13.4 mΩ, 27 nC, 8ピン, パッケージ:SO-8

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 リール(1リール4000個入り) 小計:*

¥545,824

(税抜)

¥600,408

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年1月25日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
4000 - 4000¥136.456¥545,824
8000 - 36000¥135.554¥542,216
40000 - 56000¥134.651¥538,604
60000 - 76000¥133.722¥534,888
80000 +¥132.82¥531,280

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
257-9321
メーカー型番:
IRF7854TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

10A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

27nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

2.5W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

Infineon HEXFETシリーズMOSFET、80 Vドレイン‐ソース電圧、10 A連続ドレイン電流 - IRF7854TRPBF


このMOSFETは、コンパクトな電源スイッチング用の表面実装SO‐8パッケージで提供されるNチャンネル強化デバイスです。幅広い温度範囲で動作し、中程度の消費電力と低い伝導損失を必要とする用途向けに設計されています。このデバイスはRoHS要件に適合し、効率的なスイッチングと耐熱性が求められる用途向けに設計されています。

特長および利点:


• 13.4mΩ RDS(on)により、導通損失を低減
• 80V VDSにより高電圧スイッチングが可能
• 10Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷をサポート
• 27nCの標準ゲート充電により、スイッチング制御を向上
• 2.5Wの消費電力により熱ストレスを管理

用途


• DCモータ駆動段に最適
• 産業用制御における電力管理に最適
• スイッチングレギュレータおよびコンバータと併用
• 通信機器の負荷スイッチングに使用可能
• コンパクトな表面実装型電源モジュールに最適

動作中にどのようなゲート電圧制限が適用されますか?


このデバイスは、最大20 Vのゲート‐ソース間電圧に対応します。

過酷な環境では、どのような温度範囲に耐えられますか?


-55°C~150°Cで動作するように設定されています。

ボディダイオード条件下での順方向電圧は伝導にどのように影響しますか?


フォワードダイオードは、伝導イベント中に約1.3Vの電流を発生します。

プリント基板実装には、どのくらいのピンとどのような取り付けタイプが使用されていますか?


表面実装用に構成された8ピンSO‐8パッケージに収められています。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。