Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 10 A, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, IRF7854TRPBF
- RS品番:
- 257-9322
- メーカー型番:
- IRF7854TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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| 1200 - 1595 | ¥143.40 | ¥717 |
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- RS品番:
- 257-9322
- メーカー型番:
- IRF7854TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 13.4mΩ | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 27nC | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 10A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13.4mΩ | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 27nC | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IRFシリーズは、SO 8パッケージに収められた80 V nチャンネル強力なIRFETパワーモスフェットです。強力なIRFETパワーmosfetファミリは、低RDS(オン)及び高電流性能に最適化されています。このデバイスは、性能と堅牢性を必要とする低周波数用途に最適です。
ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化
JEDEC規格に準拠した製品認定
業界標準の表面実装パッケージ
100 kHz未満のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン
