Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 49 A, 表面 パッケージPQFN
- RS品番:
- 257-9376
- メーカー型番:
- IRFH6200TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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￥465,620.00
(税抜)
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | ￥116.405 | ￥465,620 |
| 8000 - 36000 | ￥114.693 | ￥458,772 |
| 40000 - 56000 | ￥112.981 | ￥451,924 |
| 60000 - 76000 | ￥111.269 | ￥445,076 |
| 80000 + | ￥109.557 | ￥438,228 |
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- RS品番:
- 257-9376
- メーカー型番:
- IRFH6200TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 49A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 15mΩ | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 155nC | |
| 最大許容損失Pd | 250W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 12 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 49A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 15mΩ | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 155nC | ||
最大許容損失Pd 250W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 12 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IRFHシリーズは、PQFN 5 x 6パッケージに収められた20 Vシングルnチャンネル強力なIRFETパワーモスフェットです。強力なIRFETパワーmosfetファミリは、低RDS(オン)及び高電流性能に最適化されています。このデバイスは、性能と堅牢性を必要とする低周波数用途に最適です。この包括的なポートフォリオは、DCモータ、バッテリ管理システム、インバータ、DC-DCコンバータなどの幅広い用途に対応しています。
業界標準の表面実装パワーパッケージ
JEDEC規格に準拠した製品認定
100 kHz未満のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン
前世代のシリコンよりもボディのソフトなダイオード
幅広いポートフォリオを用意