Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 62 A, 表面 パッケージTO-263
- RS品番:
- 257-9430
- メーカー型番:
- IRFS4227TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 257-9430
- メーカー型番:
- IRFS4227TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 62A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 26mΩ | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 70nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 最大許容損失Pd | 330W | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 62A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 26mΩ | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 70nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
最大許容損失Pd 330W | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IRFSシリーズは、D2 Pakパッケージに収められた200 VシングルnチャンネルHEXFETパワーモスフェットPDPスイッチです。
高度なプロセス技術
PDPメンテナンス、エネルギー回収、パススイッチ用途向けに最適化された主要パラメータ
電力を削減するための低Eパルス定格
PDPサステン、エネルギー回収、パススイッチ用途での放散
低QGで高速応答
高い繰り返しピーク電流容量で、
信頼性の高い動作
短い落下 / 立ち上がり時間で高速スイッチング
動作ジャンクション温度: 175 °Cで頑丈性を向上
堅牢性と信頼性を実現する繰り返しアバランシェ機能