Infineon MOSFET, Nチャンネル, 150 V, 33 A, 42 mΩ, 26 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 827-4114
- メーカー型番:
- IRFS4615TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 827-4114
- メーカー型番:
- IRFS4615TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 33A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 42mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 26nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大許容損失Pd | 144W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 9.65mm | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 33A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 42mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 26nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大許容損失Pd 144W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 9.65mm | ||
高さ 4.83mm | ||
長さ 10.67mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Infineon SIPMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 150V、最大連続ドレイン電流 33A - IRFS4615TRLPBF
このMOSFETは、表面実装アセンブリでの電力スイッチング用に設計された、高耐圧Nチャネル・エンハンスメント型トランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、過酷な熱環境に適しており、中～大電流用途に適したゲート駆動による安定したスイッチングを実現します。
特長：
• 150Vのドレイン・ソース間耐圧により、高電圧スイッチングに対応
• 33 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流に対応
• 42 mΩの低オン抵抗（RDS(on)）により、高負荷時の導通損失を低減
• 26 nCの標準ゲート電荷により、予測可能な駆動要件を実現
• 144Wの最大許容電力により、大電力レベルに対応
• 20Vのゲート・ソース間電圧制限により、ゲートへの過大な電圧印加から保護
• 33 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流に対応
• 42 mΩの低オン抵抗（RDS(on)）により、高負荷時の導通損失を低減
• 26 nCの標準ゲート電荷により、予測可能な駆動要件を実現
• 144Wの最大許容電力により、大電力レベルに対応
• 20Vのゲート・ソース間電圧制限により、ゲートへの過大な電圧印加から保護
用途
• 産業用電源のDC-DCコンバータに適合
• 大電流が求められるモータードライブの変換段に最適
• 高電圧スイッチングが必要なバッテリーマネジメントシステムに使用
• 電源変換回路の同期整流に使用可能
• 過酷な環境下での高温電力モジュールに最適
• 大電流が求められるモータードライブの変換段に最適
• 高電圧スイッチングが必要なバッテリーマネジメントシステムに使用
• 電源変換回路の同期整流に使用可能
• 過酷な環境下での高温電力モジュールに最適
長期動作時に考慮すべき熱的な制約は何ですか？
このデバイスは、-55 °C～175°Cで動作するように設計されており、接合温度が高くなる高温システムでの使用が可能です。
どのパッケージと取付方式が必要ですか？
TO-263パッケージを採用し、放熱用に十分な銅箔面積を確保したランドパターンへの表面実装に適しています。
ゲート電荷によって、必要なドライバはどのように変わりますか？
標準的な総ゲート電荷量は26nCであるため、スイッチング時間内に必要な電荷を供給でき、スイッチング遷移時の損失を抑えられるドライバを選定する必要があります。
ゲートおよびドレインにはどのような電圧制限が適用されますか？
最大許容ゲート・ソース間電圧は20V、ドレイン・ソース間電圧定格は150Vで、ゲート駆動および負荷過渡時の安全な動作範囲を規定しています。
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