Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 110 A, 5.1 mΩ, 88 nC, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 257-9439
- メーカー型番:
- IRFS7540TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 8000 - 19200 | ￥180.694 | ￥144,555 |
| 20000 - 39200 | ￥177.068 | ￥141,654 |
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- RS品番:
- 257-9439
- メーカー型番:
- IRFS7540TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 110A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.1mΩ | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 88nC | |
| 最大許容損失Pd | 160W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 110A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.1mΩ | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 88nC | ||
最大許容損失Pd 160W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IRFSシリーズは、60 VシングルnチャンネルHEXFETパワーモスフェットで、鉛フリーD2パックパッケージに収められています。
JEDEC規格に準拠した製品認定
10 Vゲートドライブ電圧(標準レベルと呼ばれる)に最適化
100 kHz未満のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン
前世代のシリコンよりもボディのソフトなダイオード
業界標準の表面実装パワーパッケージ
ウェーブはんだ付け可能
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