Infineon MOSFET, Nチャンネル, 20 V, 22 A, 11.70 mΩ, 14 nC, パッケージ:PQFN

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RS品番:
257-9444
メーカー型番:
IRLHS6242TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

22A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

PQFN

取付タイプ

スルーホール

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11.70mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

12V

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

14nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

9.6W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン‐ソース電圧20V、最大連続ドレイン電流22A - IRLHS6242TRPBF


このMOSFETは、スイッチングおよび電力制御作業向けに設計されたスルーホールエンハンスメントモードNチャンネルデバイスです。幅広い環境範囲で動作し、コンパクトなパッケージと優れた連続電流が求められる環境に適しています。主要な電気制限と熱特性により、制御されたゲートドライブと適度な消費電力を必要とするアセンブリへの統合をサポートします。

特長および利点:


• 低導電抵抗により導電損失を低減
• 高い連続電流により、大きな負荷電流に対応
• 適度なゲート充電により、比較的高速なスイッチングを実現
• 幅広い動作温度範囲で過酷な環境に対応
• 制御されたゲート定格電圧により、駆動過電圧から保護

用途


• 中電圧DCスイッチングおよび負荷制御に最適
• 産業用電源のパワーステージコンポーネントに最適
• 22A 容量を必要とするモーター駆動回路に使用
• バッテリ管理および保護システムに使用可能
• PQFNパッケージのコンパクトな電源コンバータに最適

負荷時にはどのような熱性能が期待されますか?


最大9.6 Wの消費電力を発揮するため、ジャンクション温度を維持するためにヒートシンクやエアフローなどの熱管理が必要です。

設計時にはどのようなゲートドライブ制限を遵守する必要がありますか?


入力ゲート構造に対する過電圧ストレスを避けるため、ゲート・ソースの電圧は12Vを超えてはなりません。

このデバイスは、極端な温度条件下でどのように動作しますか?


-55°C~150°Cで動作するように設計されており、周囲温度の幅広い用途で使用できます。

過渡設計に関連するスイッチング特性は何ですか?


標準的な総ゲート電荷は、定格ゲートドライブ条件で14 nCで、ゲートドライバのサイズとスイッチング損失の計算に役立ちます。

このデバイスは、一般的な環境指令に準拠していますか?


RoHS基準に適合しており、構造に制限された有害物質が含まれていないことを示しています。

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