Infineon MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 7.60 A, 63 mΩ, 2.8 nC, パッケージ:PQFN

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RS品番:
257-9447
メーカー型番:
IRLHS6376TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

7.60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PQFN

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

スルーホール

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

63mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2.8nC

最大許容損失Pd

4.9W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

12V

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧30V、最大連続ドレイン電流7.60A - IRLHS6376TRPBF


このMOSFETは、電子システムのスイッチングおよび電源管理用に設計されたNチャンネルエンハンスメントモードトランジスタです。-55°C~150°Cの幅広い温度範囲で動作し、RoHS要件に適合しているため、規制材料規格が必要な場所に適しています。このデバイスは、スルーホール取り付け用のPQFNパッケージで提供されます。

特長および利点:


• 63mΩ RDS(on)により、導通損失を最小限に抑え、効率を向上
• 30V VDSにより低電圧電源スイッチング用途を実現
• 7.60Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷供給をサポート
• 2.8 nCの標準ゲート電荷により、高速スイッチング性能を実現
• 4.9Wの消費電力により、限界内で熱負荷を管理

用途


• 低電圧モータードライブ回路に最適
• 電源二次スイッチング段階に最適
• バッテリ管理およびDC-DC変換作業に使用
• 通信および産業用制御スイッチングに使用可能
• 熱管理型消費電力モジュールに最適

損傷せずにどのようなゲート電圧を適用できますか?


最大ゲート-ソース定格は12 Vです。

熱許容差は、展開にどのような影響を与えますか?


このデバイスは-55°C~150°Cで動作し、温度変化が広い環境での使用が可能です。

ゲートドライブ設計に関連する標準的なスイッチング特性は何ですか?


標準的な総ゲート電荷は、定格ゲートドライブ条件で2.8 nCです。

プリント基板の統合には、どのようなパッケージと取り付け方法がありますか?


スルーホール取り付け用に構成されたPQFNパッケージで提供されます。

このデバイスは車載仕様用途向けですか?


自動車規格に適合していないことが指定されています。

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