Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 7.2 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージPQFN, IRLHS2242TRPBF

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梱包形態
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130-1018
メーカー型番:
IRLHS2242TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

7.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

PQFN

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

53mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

最大許容損失Pd

9.6W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12nC

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

2.1mm

幅

2.1 mm

高さ

0.95mm

Distrelec Product Id

304-36-993

自動車規格

なし

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流7.2A、最大消費電力9.6W - IRLHS2242TRPBF


この表面実装MOSFETは、高効率スイッチングを必要とするアプリケーションに適しています。HEXFET技術と組み合わされたその低オン抵抗は、電力損失を最小限に抑え、さまざまな電子回路内の電力管理タスクに適している。最大定格温度は-55℃～+150℃で、厳しい条件下でも効果的に動作する。

特徴と利点


• 低Rds(on)が高効率と低発熱を実現

• 7.2Aの連続ドレイン電流に対応し、堅牢な性能を実現

• コンパクトな6ピンDFNパッケージにより、限られたスペースへの組み込みが容易

• エンハンスメント・モード動作により、多様な設計オプションが可能

• 優れた耐熱性で長寿命を実現

用途


• オートメーションシステムのシステム/負荷切り替えに使用

• バッテリー管理における充放電切り替えに最適

• 高効率を必要とする小型電子機器に最適

• 電気制御システムや電力管理回路に採用

Rds(on)が低いことの意味は？


低Rds(on)機能は、伝導損失の低減につながり、全体的な効率を高め、高出力アプリケーションに不可欠な動作中の低温を維持する。

このコンポーネントはどのように熱性能を管理しているのか？


最大定格温度は+150℃で、放熱性を高めるために熱抵抗が低く、高負荷条件下でも安定した動作を保証する。

さまざまな運用環境に対応できるか？


そう、-55℃から+150℃の温度範囲で効果的に機能し、さまざまな気候の厳しい用途に適している。

高周波用途に適しているか？


MOSFETの設計は高速スイッチングをサポートし、現代のエレクトロニクスにおける高周波アプリケーションに有効である。

最適な性能を発揮するための取り付け条件は？


最良の結果を得るためには、放熱と電気的接続を最適化するために、適切な熱管理機能を備えたPCBにマウントする必要がある。

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