Infineon MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 7.60 A, 63 mΩ, 2.8 nC, パッケージ:PQFN
- RS品番:
- 257-9446
- メーカー型番:
- IRLHS6376TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 リール(1リール4000個入り) 小計:*
¥149,280
(税抜)
¥164,200
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年10月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 4000 - 16000 | ¥37.32 | ¥149,280 |
| 20000 - 36000 | ¥36.77 | ¥147,080 |
| 40000 - 96000 | ¥35.863 | ¥143,452 |
| 100000 - 196000 | ¥34.949 | ¥139,796 |
| 200000 + | ¥34.023 | ¥136,092 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 257-9446
- メーカー型番:
- IRLHS6376TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 7.60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 63mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 4.9W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 12V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 7.60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ スルーホール | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 63mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 2.8nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 4.9W | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 12V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧30V、最大連続ドレイン電流7.60A - IRLHS6376TRPBF
このMOSFETは、電子システムのスイッチングおよび電源管理用に設計されたNチャンネルエンハンスメントモードトランジスタです。-55°C~150°Cの幅広い温度範囲で動作し、RoHS要件に適合しているため、規制材料規格が必要な場所に適しています。このデバイスは、スルーホール取り付け用のPQFNパッケージで提供されます。
特長および利点:
• 63mΩ RDS(on)により、導通損失を最小限に抑え、効率を向上
• 30V VDSにより低電圧電源スイッチング用途を実現
• 7.60Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷供給をサポート
• 2.8 nCの標準ゲート電荷により、高速スイッチング性能を実現
• 4.9Wの消費電力により、限界内で熱負荷を管理
• 30V VDSにより低電圧電源スイッチング用途を実現
• 7.60Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷供給をサポート
• 2.8 nCの標準ゲート電荷により、高速スイッチング性能を実現
• 4.9Wの消費電力により、限界内で熱負荷を管理
用途
• 低電圧モータードライブ回路に最適
• 電源二次スイッチング段階に最適
• バッテリ管理およびDC-DC変換作業に使用
• 通信および産業用制御スイッチングに使用可能
• 熱管理型消費電力モジュールに最適
• 電源二次スイッチング段階に最適
• バッテリ管理およびDC-DC変換作業に使用
• 通信および産業用制御スイッチングに使用可能
• 熱管理型消費電力モジュールに最適
損傷せずにどのようなゲート電圧を適用できますか?
最大ゲート-ソース定格は12 Vです。
熱許容差は、展開にどのような影響を与えますか?
このデバイスは-55°C~150°Cで動作し、温度変化が広い環境での使用が可能です。
ゲートドライブ設計に関連する標準的なスイッチング特性は何ですか?
標準的な総ゲート電荷は、定格ゲートドライブ条件で2.8 nCです。
プリント基板の統合には、どのようなパッケージと取り付け方法がありますか?
スルーホール取り付け用に構成されたPQFNパッケージで提供されます。
このデバイスは車載仕様用途向けですか?
自動車規格に適合していないことが指定されています。
関連ページ
- Infineon MOSFET 30 V 63 mΩ パッケージ:PQFN
- Infineon MOSFET 20 V 11.70 mΩ パッケージ:PQFN
- Infineon MOSFET 20 V 65 mΩ パッケージ:PQFN
- Infineon MOSFET 20 V 53 mΩ 6ピン, パッケージ:PQFN
- Infineon MOSFET 30 V 8ピン, パッケージ:PQFN
- Infineon MOSFET 30 V 15 mΩ, パッケージ:PQFN
- Infineon MOSFET 100 V 9.9 mΩ, パッケージ:PQFN
- Infineon MOSFET 100 V 15 mΩ, パッケージ:PQFN
