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Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 40 V, 100 A, 3.1 mΩ, 66 nC, パッケージ：TO-252

RS品番:: 258-0633
メーカー型番:: AUIRFR8403TRL
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 40 V, 100 A, 3.1 mΩ, 66 nC, パッケージ：TO-252

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60 - 598	￥493.00	￥986
600 - 1198	￥421.50	￥843
1200 - 2398	￥351.00	￥702
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RS品番:: 258-0633
メーカー型番:: AUIRFR8403TRL
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	100A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	シリーズ	HEXFET
	パッケージ型式	TO-252
	取付タイプ	表面
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	3.1mΩ
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	0.9V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	66nC
	最大許容損失Pd	99W
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 100A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	シリーズ HEXFET
	パッケージ型式 TO-252
	取付タイプ表面
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.1mΩ
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 0.9V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 66nC
	最大許容損失Pd 99W
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格 AEC-Q101

Infineonは、車載用途向けに特別に設計されたこのHEXFETパワーMOSFETは、最新の処理技術を採用し、シリコンエリアあたりのオン抵抗が非常に低くなっています。他にも、ジャンクション動作温度175 °C、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。これらの機能を組み合わせて、この設計は、自動車用途やその他のさまざまな用途での使用に最も効率的で信頼性の高いデバイスです。

高度なプロセス技術

新しい超低オン抵抗

動作温度: 175 °C

高速スイッチング

リピータブルアバランシェ: 最大Tjmaxまで許容

鉛フリー、RoHS準拠

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Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 40 V, 100 A, 3.1 mΩ, 66 nC, パッケージ：TO-252

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