Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 161 A, 1.20 mΩ, 21 nC, 8ピン, パッケージ:TDSON

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RS品番:
258-0682
メーカー型番:
BSC019N04LSATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

161A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.20mΩ

チャンネルモード

N

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

21nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

78W

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

+175°C

規格 / 承認

RoHS, IEC 61249-2-21

自動車規格

なし

Infineon OptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧40V、最大連続ドレイン電流161A - BSC019N04LSATMA1


このMOSFETは、コンパクトなアセンブリの高電流スイッチング用に設計された表面実装Nチャンネルパワートランジスタです。幅広い環境範囲で動作し、熱応力環境に適しています。このデバイスは、低伝導損失を実現し、高密度基板レイアウト用の8ピンTDSONパッケージで提供されます。

特長および利点:


• 1.20mΩ Rds(on)により、伝導損失を低減し、効率を向上
• 78Wの消費電力により、持続的な高出力動作をサポート
• 21 nCゲート充電により、制御されたスイッチングトランジションを実現
• ±20Vゲート定格により、堅牢な駆動電圧に耐える
• -55°C~+175°Cの範囲で極端な温度条件に対応

用途


• 大電流DC-DC変換段に適合
• 電源回路の同期整流に最適
• モータ制御インバータのMOSFETドライバーと併用
• サーバーおよび通信機器の電力分配に使用可能
• コンパクトな表面実装電源モジュールに最適

コンパクトな基板レイアウトを容易にするパッケージタイプは?


8ピンTDSON表面実装パッケージで提供され、基板面積を節約し、熱接続を容易にします。

このデバイスは、高い連続電流にどのように対応しますか?


このトランジスタは、161Aの連続ドレイン電流をサポートし、適切な熱管理を備えた取り付け時に持続的な高電流スイッチングを実現します。

このコンポーネントにはどのような規格と材料制限が適用されますか?


このデバイスはRoHS要件に適合し、IEC 61249-2-21の材質仕様に準拠しています。

ドレインとソース間の最大電圧容量は?


最大許容ドレイン・ソース間電圧は40Vで、安全な動作電圧限界を定義します。

このトランジスタは、どのようなチャンネル構成を使用しますか?


ローサイドまたは同期スイッチングトポロジに適したNチャンネル構成を採用しています。

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